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Micron lanza el chip flash de 128 Gbit más pequeño

[19/02/2013] Micron Technology presentó el dispositivo de memoria flash NAND de 128Gbit más denso de la industria, utilizando su proceso de 20 nanómetros y empaquetando tres bits de datos por celda en el chip.
La tecnología flash de tres bits es conocida como la triple-level-cell (TLC), un medio de almacenamiento muy compacto en comparación con los mucho más comunes flash NAND de dos bits multi-level cell (MLC). El flash NAND más costoso, de mayor desempeño y mayor duración es el flash single-level cell (SLC).
El nuevo chip de Micron mide 146 mm cuadrados y es más de 25% más pequeño que el dispositivo NAND MLC de 20 nm de la misma capacidad de Micron. El dispositivo TLC de 128Gb está dirigido al mercado de almacenamiento removible de bajo costo (tarjetas flash y USB), del cual se proyecta que consuma el 35% del total de los gigabytes NAND en el año calendario 2013, de acuerdo a las firmas de investigación.
Micron está ahora ofreciendo muestras del dispositivo NAND TLC de 128Gb con algunos clientes seleccionados; ingresará a producción en el segundo trimestre del año calendario 2013.
Este es el dispositivo de memoria flash NAND más pequeño con mayor capacidad de la industria, que empodera a una nueva clase de aplicaciones de almacenamiento para consumidor, sostuvo Glen Hawk, vicepresidente del NAND Solutions Group de Micron.
Micron está presentando un paper sobre el dispositivo en la próxima International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) del 19 de febrero en San Francisco.
Lucas Mearian, Computerworld (EE.UU.)