Llegamos a ustedes gracias a:



Noticias

Investigaciones podrían despertar a las laptops apagadas

[30/04/2009] Los investigadores han desarrollado una tecnología que permitiría a las laptops despertar instantáneamente de un estado de apagado, sin reducir la duración de la batería, de la forma en que lo hacen los estados de sleep.

Investigadores universitarios han construido un material ferroeléctrico -que comúnmente se encuentra en las tarjetas inteligentes- sobre el silicio, lo cual podría permitir a ciertos transistores retener información luego de que la máquina se haya apagado. Los científicos de la Universidad Estatal de Pennsylvania, la Universidad Cornell y la Universidad Northwestern se encuentran involucrados en la investigación.
Los nuevos hallazgos podrían ahorrarles tiempo a los usuarios booteando en forma instantánea las laptops al estado en el que se encontraban cuando se apagaron. Por ejemplo, un transistor en la laptop podría retener el estado de un documento Word al momento del apagado, e instantáneamente recargar el mismo estado en el reboot.
Sería un encendido instantáneo, es decir, tan pronto como vuelva la electricidad, la computadora se encontraría exactamente en el mismo estado en el que se encontraba cuando la apagó, y lista para funcionar, afirmó Darrell Schlom, investigador principal y profesor del Departamento de Ciencias de los Materiales e Ingeniería de la Universidad Estatal de Pennsylvania.
Las capacidades de booteo rápido pueden producirse en laptops y la mayoría de los dispositivos móviles, pero muchas no pueden recrear los estados al momento del apagado. Las laptops generalmente nunca hacen un reboot hacia el estado en el que se encontraban al momento de apagarse, a menos que se encuentren en el modo sleep, lo cual reduce la energía de la batería. En esencia, los materiales ferroeléctricos podrían despertar a las laptops del modo sleep sin reducir la energía de la batería.
La investigación puede allanar el camino para una nueva generación de dispositivos de memoria de menor consumo energéticos y mayor velocidad, afirmó Schlom. Para los usuarios de las laptops, podría reducir el tiempo para cargar un sistema operativo de los dispositivos de almacenamiento como los discos duros. El material ferroeléctrico también puede retener datos en el caso de que se pierda energía.
La investigación se basa en la construcción de transistores ferroeléctricos -que pueden retener datos en cualquier estado eléctrico— sobre transistores híbridos. Los materiales ferroeléctricos se encuentran en las tarjetas inteligentes utilizadas ahora en los subterráneos, cajeros automáticos y tarjetas de combustible-.
Los investigadores tomaron titanato de estroncio, una variante del material ferroeléctrico utilizado en las tarjetas inteligentes, y lo depositó sobre el silicio, colocándolo en un estado en donde podría retener información incluso cuando se apaga la electricidad. Los nuevos hallazgos reducen las capas que intervienen y que dificultan poner el material sobre el silicio.
Generalmente, cuando se corta la energía, el voltaje desaparece de los transistores, algo que tiene que recrearse cuando vuelve la energía. Para recrear esto, se carga la información relevante desde medios de almacenamiento no volátiles como los discos duros, lo cual toma tiempo. Los transistores ferroeléctricos retienen la magnetización cuando el campo eléctrico es apagado, permitiendo que se retengan los datos.
La tecnología cargará de forma diferente los sistemas operativos desde las actuales tecnologías de memoria -como el DRAM- y las tecnologías de almacenamiento -como los discos duros y los discos de estado sólido-, afirmó Schlom. Los transistores ferroeléctricos conceptualmente difieren en la forma en que cargan y retienen los datos, sostuvo Schlom.
Los beneficios de los transistores ferroeléctricos fueron descubiertos en 1955 por los científicos de Bell Labs, observó Schlom. Aunque los hallazgos recientes son un gran paso adelante, se necesita de más investigación para construir un verdadero transistor ferroeléctrico que haga realidad la computación de encendido instantáneo, expresó Schlom. El entrevistado no pudo proporcionar una fecha de cuándo es que tales transistores se fabricarían.
Entre los investigadores también se encuentran científicos del Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (National Institute of Standards and Technology, NIST) Motorola e Intel. La investigación es financiada por la Fundación Nacional de la Ciencia (National Science Foundation) y el gobierno de los Estados Unidos.
Agam Shah, IDG News Service