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SanDisk y Toshiba se unen para crear SSD 3D

[19/05/2014] Toshiba y SanDisk se unirán http://www.sandisk.com/about-sandisk/press-room/press-releases/2014/toshiba-to-replace-fab-2-at-yokkaichi-japan-for-transition-to-3d-nand-technology/ para producir chips NAND flash tridimensionales que incrementarán la densidad y el desempeño de los discos de estado sólido.
Toshiba afirmó que planea demoler su planta Fab 2 la prefectura de Mie, Japón, y reemplazarla con una nueva fábrica de wafers en el mismo sitio en donde SanDisk también invertirá recursos para comenzar a crear el NAND 3D.
Las compañías esperan que la producción comience en el 2016.
Nuestra determinación en desarrollar tecnologías avanzadas subraya nuestro compromiso de responder a la continua demanda de memorias flash NAND, afirmó Yasuo Naruke, CEO de Semiconductor & Storage Products de Toshiba. Confiamos en que nuestro joint venture con SanDisk nos permitirá producir memorias de siguiente generación competitivas en costo en Yokkaichi.
A diferencia de la tecnología NAND plana, los stacks de wafers flash NAND 3D, se conectan verticalmente en un array.
El año pasado, Samsung se convirtió en el primer manufacturero de semiconductores en comenzar a producir NAND 3D. Su chip, al que llama V-NAND, proporciona de dos a 10 veces más confiabilidad y el doble de desempeño en escritura, de acuerdo a Samsung.
El V-NAND de Samsung utiliza una estructura de celdas basada en la tecnología 3D Charge Trap Flash (CTF). Al aplicar esta tecnología, el V-NAND 3D de Samsung puede proporcionar más del doble de la escala del actual flash NAND plan de 20 nanómetros.
Samsung está utilizando su V-NAND 3D para una amplia gama de electrónicos para consumidor y aplicaciones empresariales, como el almacenamiento NAND incorporado y los discos de estado sólido (SSD, por sus siglas en inglés). Los chips flash NAND 3D de Samsung fueron utilizados para crear SSD con capacidades que van de los 128 GB a 1 TB.
Toshiba ha afirmado que se está basando en determinadas capacidades y niveles de producción, pero que esto refleja las tendencias del mercado.
Toshiba y SanDisk soportarán la producción de memorias 3D con equipos de fabricación de punta para la litografía, precipitación y grabado a través de joint ventures, indicó Toshiba en una declaración.
La nueva fábrica conjunta de wafers será construida en una estructura que absorbe los sismos y con un diseño amigable para el medio ambiente que incluye iluminación LED en todo el edificio. También se encontrará equipada con los más recientes equipos de manufactura ahorradores de energía, lo que permitirá una mejor productividad con menor consumo de energía, de acuerdo a Toshiba.
El uso muy eficiente del calor disipado ayudará a reducir el consumo de combustible y reducirá las emisiones de CO2 en 15%, en comparación con la Fab 5, actualmente la fábrica más avanzada en Yokkaichi, señaló la empresa.
Lucas Mearian, Computerworld (EE.UU.)