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Intel y Micron anuncian un nuevo tipo de memoria

Mil veces más rápida que NAND

[30/07/2015] Intel y Micron acaban de anunciar un nuevo tipo de memoria hasta mil veces más rápida y duradera que una memoria NAND, realizada con tecnología 3D XPoint. Esta nueva tecnología multiplicará de forma exponencial el rendimiento y, según ambas compañías, es la mayor innovación este campo en más de 25 años desde que apareciera NAND en 1989, y que abrirá paso a nuevos modos de computación.

"Es un gran avance tecnológico", señaló Rob Cooke, vicepresidente de Intel responsable del grupo de memorias no volátiles. Según el directivo, "durante décadas, la sector ha buscado formas de reducir el tiempo de demora entre el procesador y los datos para permitir un análisis mucho más rápido. Esta nueva clase de memoria no volátil logra este objetivo y ofrece un rendimiento que cambia las reglas del juego de las soluciones de memoria y almacenamiento.

Ambos fabricantes insisten en que no se vea como una mejora de NAND, sino como una nueva categoría de memoria no volátil que incluso puede funcionar como memoria o almacenamiento principal, porque es no volátil. Incluso podría utilizarse como la única tecnología de memoria de una computadora, o conjuntamente con la DRAM tradicional. Tampoco es comparable a NAND 3D, tecnología que solo aumenta la densidad de NAND.

Aunque aún se encuentra en la fase temprana de desarrollo, 3D XPoint podría llegar al mercado el próximo año y, como prueba de los avances realizados, Intel y Micron ya han mostrado una oblea real compuesta de 3D XPoint.

La futura memoria se fabricará en las plantas que tienen ambas compañías en Lehigh, Utah. Aunque no se ha desvelado el costo de su desarrollo, el director general deMicron ha reconocido que "no ha sido barato".

Gordon Mah Ung, PC World (EE.UU.)