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Samsung y Toshiba buscan un gran incremento en la velocidad de la memoria flash NAND

[22/07/2010] Samsung Electronics y Toshiba anunciaron el miércoles que planean impulsar una nueva especificación que pretende agilizar el flujo de datos en la memoria flash NAND, usado para almacenar datos en productos desde iPad e iPhone hasta  SSD (unidades de estado sólido) utilizadas en computadoras personales y centros de datos.

Los dos mayores fabricantes de chips de memoria flash NAND se comprometieron a desarrollar una memoria flash DDR (Double Data Rate) NAND con una interfase de 400 megabits por segundo, que es más rápida que los 133Mbps de la especificación anterior, y diez veces más rápida que la interfase de 40Mbps tradicionales se encuentran en los chips flash NAND.
La tecnología, llamada DDR toggle-mode (modo de intercambio DDR), es rival de la ONFI (Open NAND Flash Interface) respaldada por Intel, Micron Technology y SanDisk. Las dos tecnologías están dirigidas a productos de alto rendimiento como los SSD. Quienes soportan la tecnología NAND flash, esperan que ésta reemplace un día a los discos duros.
ONFI puede ofrecer velocidades de 166Mbps y 200Mbps, según información de su propio sitio web.
"Ambas implementaciones apuntan a niveles de rendimiento similares", indicó Gregory Wong, CEO de la compañía de investigación de la industria Forward Insights. "ONFI tiene una ventaja, ya que se estableció antes, pero en la DDR toggle-mode es un poco más compatible con la interfase asíncrona estándar".
Señaló que la tasa de adopción de las dos tecnologías se verá influenciada por la oferta, y debido a que Samsung y Toshiba proveen casi el 70% del mercado de memoria flash NAND, pueden aprovechar su liderazgo para aumentar la adopción DDR toggle-mode.
Jim Handy, analista en Objective Analysis, indicó que las interfases más rápidas para chips NAND son importantes debido a su creciente utilización para el procesamiento de datos, y no solo para música, fotos, videos y unidades USB. El anuncio de Samsung y Toshiba muestra que las dos empresas están abordando los problemas de compatibilidad en la DDR toggle-mode, añadió.
En un comunicado de prensa, las compañías dijeron que esperan que la adopción en curso de los smartphones, tablet PC y SSD, impulse la demanda por una gama más amplia de los chips NAND de alto rendimiento, y que las mejoras continuas en velocidad dará lugar a la creación de nuevos productos basados un memoria flash NAND.
Samsung el mes pasado presentó uno de los primeros SSD que utiliza memoria flash NAND DDR toggle-mode, un dispositivo de 512 GB con una velocidad de lectura máxima de 250 megabytes por segundo (Mbps) y 220 Mbps de velocidad de escritura secuencial.
Dan Nystedt, IDG News Service