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Intel y Micron ofrecen el flash NAND más pequeño y con más alta capacidad

[18/08/2010] Intel y Micron Technology anunciaron hoy la entrega de una memoria flash NAND de tres bits por celda (3bpc) de tecnología de litografía de 25 nanómetros. Los nuevos chips de memoria flash representan los de mayor capacidad en la industria, y los más pequeños dispositivos NAND hasta la fecha, dijeron las compañías.

Las empresas han enviado muestras del producto inicial a clientes selectos, y esperan estar en plena producción para finales de año.
Los chips NAND flash de tres bits por celda están orientados a tarjetas flash, unidades de memoria USB y reproductores MP3. Las unidades de estado sólido (SSD) siguen utilizando NAND flash de dos bits por celda y de un bit por celda.
En agosto pasado, la compañía conjunta de Intel y Micron, IM Flash Technologies (IMFT), anunció su primera tecnología de memoria NAND flash de tres bits por celda usando el proceso de litografía de 34nm. El avance representa una reducción del 11% en el tamaño de la memoria flash NAND. Sin embargo, debido a problemas de fiabilidad, IMFT optó por suspender la producción del producto flash NAND de tres bits.
En enero, IMFT introdujo la tecnología flash NAND de 25nm. Ese chip tenía dos bits de datos, constituyendo una memoria flash NAND de celda multinivel (MLC), en comparación con las NAND de un solo nivel de celda (SLC), la cual alberga un bit por celda.
El nuevo flash NAND es una combinación de las dos últimas tecnologías.
IMFT señaló que su nuevo chip de memoria de 64Gbit 3-bits por celda ofrece mayor densidad y reducirá aún más el precio base de la memoria flash NAND.
El die de IMFT de 25nm 8GB 25nm, el cual mide 0,89 x 1,88 cm, se compone de muchos pequeños chips NAND de 64Gbit. La tecnología NAND hace posible desarrollar productos utilizando la mitad de chips que los empleados en la tecnología de litografía de 34nm, permitiendo diseños más pequeños y de mayor densidad.
Por ejemplo, un SSD de 256 GB se puede construir con 32 chips flash NAND de 8GB de memoria en lugar de 64; un smartphone de 32GB necesitaría solo cuatro, y una tarjeta flash de 16GB solo requiere dos. El cambio también reduce el costo total para producir productos móviles.
El dispositivo es más de 20% más pequeño que la misma capacidad de los dispositivos de 25nm de Intel y Micron que se fabrican hoy en día.
"Con la presentación en enero del die más pequeño, de 25 nm, seguida rápidamente por el paso a 3-bits por celda en 25 nm, continuaremos ganando impulso y ofreciendo a los clientes un conjunto convincente de productos de liderazgo", afirmó Tom Rampone, gerente general de memoria NAND de Intel Solutions Group, en un comunicado. "Intel tiene previsto utilizar el diseño y el liderazgo del IMFT para ofrecer productos de mayor densidad y precio competitivo a nuestros clientes, basándose en el nuevo dispositivo NAND de 8GB de 25nm".
"Ya estamos trabajando para calificar el dispositivo de 8GB de memoria flash NAND TLC dentro de diseños de producto final, incluyendo productos de mayor capacidad de Lexar Media y Micron", precisó Brian Shirley, vicepresidente de NAND Solutions Group, de Micron, en un comunicado.
Lucas Mearian, Computerworld (US)