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Samsung inicia la producción en masa de la memoria flash NAND más densa

[13/10/2010] Samsung está ahora produciendo en masa el primer chip flash NAND de 3 bits por celda y 64GB, que usa circuitos que son cerca de 14% más pequeños que los anteriores. Los nuevos chips tienen el doble de bits que los actuales NAND flash de la marca.

La flash NAND también ofrece un mejor desempeño gracias a la aplicación de las especificaciones Toggle DDR (Double Data Rate) 1.0 a los nuevos chips. Samsung ha estado produciendo chips NAND de 30 nm usando especificaciones basadas en SDR (Single Data Rate).
La compañía reclamó ser la primera en comenzar la producción de la nueva clase de memoria flash usando circuitos de 20 nanómetros. Los chips flash serán usados para crear USB de alta capacidad, tarjetas de memoria SD, así como teléfonos inteligentes y solid-state drives (SSD).
Hasta este año, los flash NAND multi-level cell (MLC) permitían que hasta dos bits de datos fueran escritos en una memory cell. Las single-level cell (SLC) NAND siempre han sido consideradas de clase empresarial debido a su mayor expectativa de vida y desempeño. Sin embargo, un software más sofisticado en los controladores ha permitido que la memoria MLC sea usada en productos de gama alta.
En agosto, IM Flash Technologies (IMFT), un joint venture entre Intel y Micron, también anunció que había creado un chip NAND flash de 3 bits por celda usando litografía -el nombre que recibe el proceso de creación de circuitos- de 25 nm. El chip de IMFT también soporta 64Gbits. IMFT, sin embargo, aún no ha comenzado su producción en masa.
De acuerdo a un slide filtrado a la prensa, Intel espera duplicar con el tiempo la capacidad de sus SSD de clase consumidor utilizando el proceso de 25 nm. Eso significa que sus SSD X25-M crezcan a 160GB, 300GB y 600GB. La compañía también podría duplicar la capacidad de su más asequible drive de entrada X25-V, que apunta a los mercados de netbooks  y tablets. El actual X25-V ofrece 40GB de capacidad. Éste sería reemplazado por un modelo de 80GB.
Samsung no revela el tamaño exacto de su tecnología de litografía, señalando solamente que se encuentra entre los 20 a 29 nm. Desde noviembre, Samsung ha estado utilizando tecnología de litografía de 30 nm para desarrollar chips NAND flash con capacidad de 32Gbit.
A 25 nm los circuitos flash NAND son tres mil veces más delgados que un cabello humano.
La nueva y más densa tecnología NAND hace posible construir productos usando menos chips, permitiendo diseños más pequeños y de mayor densidad. Los chips de 64Gbit se combinan para crear dies flash NAND de 8GB. Los dies luego se combinan para crear productos multichip más grandes. El cambio también reduce el costo total para producir productos móviles, ahorros que pueden ser traspasados hacia los consumidores.
Al ingresar a la producción plena de dispositivos de 20 nm, 64Gbit, y 3 bits, esperamos acelerar la adopción de nuestras soluciones NAND de alto desempeño que usan tecnología Toggle DDR, para aplicaciones que también requieren NAND de alta densidad, señaló Seijin Kim, vicepresidente de Flash Memory Planning/Enabling de Samsung Electronics, en una declaración.
Lucas Mearian, Computerworld (US)