Llegamos a ustedes gracias a:



Noticias

Samsung anuncia primer módulo DRAM DDR4

[05/01/2011] Samsung Electronics señaló que ha completado el desarrollo del primer módulo DRAM DDR4, que ofrece el doble del desempeño de los DRAM DDR3 actuales y reduce el consumo de energía cuando se usa en una notebook en un 40%.

El próximo módulo DDR4 de Samsung duplica el desempeño del DRAM DDR3.
Samsung señaló el martes que ha completado el desarrollo de su primer módulo DRAM DDR4 el mes pasado usando tecnología de proceso litográfico de 30 nanómetros (nm), su más pequeña tecnología de circuitos a la fecha.
Al emplear una nueva arquitectura de circuitos, Samsung señala que sus módulos DDR4 podrán desarrollar operaciones de 1,6Gbit por segundo a 3,2Gbit por segundo, en comparación con las actuales velocidades del DDR3 de 1,6Gbit por segundo y del DDR2 de hasta 800Mbits por segundo.
Al mismo tiempo del anuncio de Samsung, la firma de investigación de mercado iSuppli lanzó cifras mostrando que los precios de las DRAM continuaron cayendo a su nivel más bajo del año el mes pasado. Al 10 de diciembre, el precio de contrato para un módulo DRAM DDR3 de 2GB se encontraba en 21 dólares, más de 50% más barato que los 44,40 dólares que costaba un módulo seis meses antes.
La caída de precios no se restringe a los DDR3. Los precios de los dispositivos DDR2 cayeron a 21,50 dólares en diciembre, en comparación con los 38,80 dólares en junio, de acuerdo a iSuppli.
Los precios de las DRAM en general han sido afectados por la poca demanda de PC, especialmente durante la primera mitad del 2010, así como por la mayor oferta de memorias commodities que se produjo luego del incremento en los despachos durante la segunda mitad, indicó Mike Howard, analista principal de iSuppli, en una declaración.
Howard señaló que parece que no hay nada que detenga el colapso en los precios de las DRAM y que a medida que las DDR3 lleguen a un dólar por gigabyte, los productores se verán forzados a reducir la producción debido a que los costos excederán los precios.
La caída en los precios también fue confirmada por la compañía comercializadora taiwanesa DRAMeXchange, que reportó el martes que los precios de los chips DRAM alcanzaron su nivel más bajo en un año debido a la sobre oferta posterior a las fiestas.
El nuevo DRAM DDR4 generará mayor confianza en nuestras memorias verdes, particularmente cuando presentemos productos DDR4 de cuatro gigabits que usen tecnología de procesamiento de siguiente generación para las aplicaciones principales, señaló Dong Soo Jun, presidente de la división de memorias de Samsung, en una declaración.
El nuevo módulo DRAM DDR4 puede lograr tasas de transferencia de datos de 2,133 Gbits por segundo a 1,2 voltios, en comparación con los 1,35 voltios y los 1,5 voltios de los DRAM DDR3 con una tecnología de proceso equivalente de 30 nanómetros, con velocidades de hasta 1,6Gbits por segundo.
En una notebook, el módulo DDR4 reduce el consumo de energía en 40% en comparación con un módulo DDR3 de 1,5V, sostuvo Samsung.
El módulo hace uso de Pseudo Open Drain (POD), una nueva tecnología que ha sido adaptada a DRAM gráfico de alto desempeño para permitir que el DRAM DDR4 consuma solo la mitad de la corriente eléctrica del DDR3 cuando lee y escribe datos.
Samsung afirmó el mes pasado que había probado proporcionado unbuffered dual in-line memory modules (UDIMM) DDR4 de 1.2V y 2GB a un fabricante de controladores para su evaluación. Samsung planea trabajar de forma cercana con varios fabricantes de servidores para ayudar a asegurar la estandarización JEDEC de las tecnologías DDR4 en la segunda mitad de este año.
Lucas Mearian, Computerworld (US)