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Diamantes para mejorar los sistemas de almacenamiento

[08/05/2012] Los ingenieros de la Universidad John Hopkins están utilizando diamantes para cambiar las propiedades de la aleación que se emplea en las unidades de memoria. Un cambio que podría derivar en la creación de sistemas de almacenamiento de alta capacidad, mayor velocidad de respuesta y mejor conservación de los datos.
El proceso, explicado en la edición online de la revista científica PNAS, se centra en los cambios en la aleación, empleando memorias de cambio de fase (GST) con herramientas de diamantes en lugar de las tradicionales memorias.
"Esta memoria es más estable que el material utilizado en las unidades flash actuales. Funciona 100 veces más rápido y es regrabable unas 100 mil veces", afirma el autor principal del estudio, Ming Xu, estudiante de doctorado en la Escuela de Ingeniería Whiting de la Universidad John Hopkins. "Dentro de unos cinco años, también podría ser usado para remplazar los discos duros de las computadoras y darles más memoria".
El GST ha estado en uso desde hace dos décadas, y hoy en día se utiliza ampliamente en algunos medios regrabables ópticos, como los CD-RW y DVD-RW. IBM y otras compañías ya están desarrollando memorias de cambio de fase (GST).
Mediante el uso de herramientas con punta de diamante para aplicar presión a la GST, los investigadores descubrieron que podían cambiar las propiedades de la aleación de un estado amorfo a uno cristalino y, por tanto, reducir la resistividad eléctrica en torno a cuatro órdenes de magnitud.
Los dos estados se utilizan para representar el lenguaje de programación digital de unos y ceros. En su estado amorfo, el GST es más resistente a la corriente eléctrica. Las dos fases de GST, amorfo y cristalino, también reflejan la luz de manera diferente, permitiendo que la superficie de un DVD pueda ser leído por un láser pequeño.
Las herramientas de diamantes se emplean para provocar el cambio que se produzca más lentamente. El equipo utilizó un método conocido como difracción de rayos X, junto con una simulación por computadora, para documentar lo que estaba pasando con el material a nivel atómico. Al registrar los cambios en "cámara lenta", los investigadores descubrieron que en realidad se podía sintonizar la resistividad eléctrica del material durante el tiempo que transcurre entre su cambio de amorfo a la forma cristalina.
Lucas Mearian, Computerworld (EE.UU.)